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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT-23-3 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | ±12V | |
连续漏极电流Id | 4A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 65mΩ | |
Rds On(Max)@2.5V | 85mΩ | |
VGS(th) | 1.5 | |
Ciss(pF) | 235 | |
Coss(pF) | 35 | |
Crss(pF) | 18 | |
Qg*(nC) | 4.7 | |
Qgd(nC) | 1.6 | |
Td(on)(ns) | 3.5 | |
Td(off)(ns) | 17.5 | |
Trr(ns) | 8.5 | |
Qrr(nC) | 2.6 | |
工作温度 | -55℃~150℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥0.5753 总价:¥51.777 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:90 | 倍数:1 |
生产日期 : 24+
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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![]() |
AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃ |
¥0.5753
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164,100 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
¥0.5239
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16,332 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | |||||||||||||
![]() |
FDN335N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
¥1.177
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5,676 | 对比 | ||||||||||||||
![]() |
ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
¥1.661
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5,668 | 对比 | ||||||||||||
![]() |
FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
¥0.8822
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3,146 | 对比 |