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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT-23-3 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | ±12V | |
连续漏极电流Id | 4A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 65mΩ | |
Rds On(Max)@2.5V | 85mΩ | |
VGS(th) | 1.5 | |
Ciss(pF) | 235 | |
Coss(pF) | 35 | |
Crss(pF) | 18 | |
Qg*(nC) | 4.7 | |
Qgd(nC) | 1.6 | |
Td(on)(ns) | 3.5 | |
Td(off)(ns) | 17.5 | |
Trr(ns) | 8.5 | |
Qrr(nC) | 2.6 | |
工作温度 | -55℃~150℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:100 | 倍数:1 |
生产日期 : 2年内
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 |
¥0.5544
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13,743 | 当前型号 | |||||||||||
IRLML2502TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
¥0.6578
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46,837 | 对比 | |||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
¥0.5395
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28,440 | 对比 | |||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | |||||||||||
IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
¥0.7326
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15,477 | 对比 | |||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |