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通用MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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制造商编号 FDN357N
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3-FDN357N
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 1.9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60m Ohms@2.2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳 SuperSOT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 1.9A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V
功率 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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