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FDN357N  与  DMG3406L-7  区别

型号 FDN357N DMG3406L-7
唯样编号 A3-FDN357N A3-DMG3406L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 770mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@3.6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 495 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SuperSOT SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.9A 3.6A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
库存与单价
库存 12,000 15,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,500 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 15,000 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
13,743 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5511 

阶梯数 价格
100: ¥0.5511
200: ¥0.4199
1,500: ¥0.3653
3,000: ¥0.3237
11,976 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
9,006 对比

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