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RTR025N03TL  与  DMN3150L-7  区别

型号 RTR025N03TL DMN3150L-7
唯样编号 A-RTR025N03TL A36-DMN3150L-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 85mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 15 ns 3.49 ns
漏源极电压Vds 30V 28V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.4W(Ta)
典型关闭延迟时间 25 ns 15.02 ns
栅极电压Vgs 12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSMT SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 3.8A
系列 RTR DMN
配置 Single Single
通道数量 1 Channel 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.4V @ 250µA
长度 2.9 mm 2.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V 305pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
下降时间 10 ns -
典型接通延迟时间 9 ns 1.14 ns
高度 0.85 mm 1 mm
库存与单价
库存 0 35,888
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
113,173 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.4979
1,500: ¥0.4329
3,000: ¥0.3835
60,577 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
35,888 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
6,488 对比

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