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RTR025N03TL  与  FDN357N  区别

型号 RTR025N03TL FDN357N
唯样编号 A-RTR025N03TL A3-FDN357N
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 60 毫欧 @ 2.2A,10V
上升时间 15 ns -
栅极电压Vgs 12V ±20V
封装/外壳 TSMT SuperSOT
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 1.9A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
下降时间 10 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
高度 0.85 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 500mW(Ta)
典型关闭延迟时间 25 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V 5.9nC @ 5V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
库存与单价
库存 0 12,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
113,173 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.4979
1,500: ¥0.4329
3,000: ¥0.3835
60,577 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
35,888 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
6,488 对比

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