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IRLR8726TRPBF  与  IPD50N03S2L-06  区别

型号 IRLR8726TRPBF IPD50N03S2L-06
唯样编号 A-IRLR8726TRPBF A-IPD50N03S2L-06
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V 6.4mΩ
上升时间 - 30ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 136W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 86A 50A
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 15V -
长度 - 6.5mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比

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