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IRLR8726TRPBF  与  AOD4146  区别

型号 IRLR8726TRPBF AOD4146
唯样编号 A-IRLR8726TRPBF A-AOD4146
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V 5.6 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 2.5W(Ta),62W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 86A 15A(Ta),55A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 42nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IPD50N03S2L-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L06ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
AOD4146 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比
IPD50N03S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2-07_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD50N03S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S207ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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