制造商编号 | IPD50N03S2-07 |
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商品别名 | IPD50N03S207ATMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPD50N03S2-07 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.3mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):136W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 50A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.3mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 136W | |
高度 | 2.3mm | |
长度 | 6.5mm | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 6.22mm | |
下降时间 | 30ns | |
上升时间 | 40ns | |
典型关闭延迟时间 | 26ns | |
典型接通延迟时间 | 18ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |