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IRLR8726TRPBF  与  IPD50N03S207ATMA1  区别

型号 IRLR8726TRPBF IPD50N03S207ATMA1
唯样编号 A-IRLR8726TRPBF A-IPD50N03S207ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 86A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 85uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
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IPD50N03S207ATMA1_6.5mm

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