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IPD30N03S2L10ATMA1  与  NTD4302T4G  区别

型号 IPD30N03S2L10ATMA1 NTD4302T4G
唯样编号 A-IPD30N03S2L10ATMA1 A32-NTD4302T4G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
功率 - 1.04W(Ta),75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.4A(Ta),68A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 50uA -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.571
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