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IPD30N03S2L10ATMA1  与  IRLR8259PBF  区别

型号 IPD30N03S2L10ATMA1 IRLR8259PBF
唯样编号 A-IPD30N03S2L10ATMA1 A-IRLR8259PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) 48W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 900pF @ 13V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 50uA 2.35V @ 25uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V 10nC @ 4.5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 30A,10V 8.7 毫欧 @ 21A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) 57A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 25V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N03S2L-10_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
NTD4302T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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阶梯数 价格
1: ¥5.571
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