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功率MOSFET   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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制造商编号 IRLR8259PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRLR8259PBF
供货
无铅情况/RoHs
描述
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
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商品目录 功率MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 57A(Tc)
FET类型 N 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.7 毫欧 @ 21A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 13V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
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