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IPD30N03S2L10ATMA1  与  IRLR3715Z  区别

型号 IPD30N03S2L10ATMA1 IRLR3715Z
唯样编号 A-IPD30N03S2L10ATMA1 A-IRLR3715Z
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 100W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 49A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 810pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N03S2L-10_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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