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DMN3033LSDQ-13  与  IRL6372PBF  区别

型号 DMN3033LSDQ-13 IRL6372PBF
唯样编号 A-DMN3033LSDQ-13 A-IRL6372PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 车规 -
功率-最大值 - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V 1020pF @ 25V
FET类型 2N-Channel 2 N-通道(双)
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 17.9 毫欧 @ 8.1A,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.1A
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

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