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DMN3033LSDQ-13  与  IRL6372  区别

型号 DMN3033LSDQ-13 IRL6372
唯样编号 A-DMN3033LSDQ-13 A-IRL6372
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 4.8nC
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.0W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Moisture Level - 1 Ohms
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 62.5K/W
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 6.9A 6.5A
QG - 11.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.22
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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