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通用MOSFET   SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SO

特惠

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制造商编号 FDS6990AS
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-FDS6990AS
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8
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商品目录 通用MOSFET
系列 PowerTrench®,SyncFET™
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@7.5A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 900mW
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOIC
FET类型 N-Channel
FET类型 2N-Channel
FET类型 逻辑电平门
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 7.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs 22 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 15V
功率 9/10W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳 8-SO
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