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DMN3027LFG-7  与  RQ3E080GNTB  区别

型号 DMN3027LFG-7 RQ3E080GNTB
唯样编号 A-DMN3027LFG-7 A33-RQ3E080GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.7mΩ@8A,10V
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 18.6mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 580 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 7S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.3A(Ta) 8A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 0 1,659
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥1.4278
500+ :  ¥1.1116
1,000+ :  ¥1.0733
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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