首页 > 商品目录 > > > > DMN3027LFG-7代替型号比较

DMN3027LFG-7  与  RQ3E080GNTB  区别

型号 DMN3027LFG-7 RQ3E080GNTB
唯样编号 A-DMN3027LFG-7 A3-RQ3E080GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.7mΩ@8A,10V
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 18.6mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 580 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 7S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.3A(Ta) 8A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±25V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 5.3A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AON7406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V

¥0.5195 

阶梯数 价格
100: ¥0.5195
500: ¥0.3464
2,500: ¥0.3019
5,000: ¥0.2703
9,165 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.0924
2,000: ¥1.0839
2,600 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.0924
1,629 对比
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 200 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 17 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消