制造商编号 | PMPB19XP,115 |
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商品别名 | PMPB19XP |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PMPB19XP,115 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT1220 | |
FET类型 | P-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 27mΩ@2.5V,22.5mΩ@4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 12V,-0.68V | |
漏源极电压Vds | -20V | |
输入电容 | 2890pF | |
输出电容 | 250pF | |
连续漏极电流Id | -10.3A |
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PMPB19XP,115
自营库存:1000
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB19XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PMPB19XP_SOT1220 P-Channel 1.7W 150℃ 12V,-0.68V -20V -10.3A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V |
¥1.2276
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15,065 | 对比 | ||||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
¥7.9001
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100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V |
¥4.6933
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96 | 对比 |