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PMPB19XP,115  与  RF4C100BCTCR  区别

型号 PMPB19XP,115 RF4C100BCTCR
唯样编号 A36-PMPB19XP,115 A36-RF4C100BCTCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15.6mΩ@10A,4.5V
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W
输出电容 250pF -
栅极电压Vgs 12V,-0.68V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 150℃ -55℃~150℃
连续漏极电流Id -10.3A 10A(Ta)
输入电容 2890pF -
栅极电荷Qg - 23.5nC@4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 27mΩ@2.5V,22.5mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 0 15,065
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.2276
100+ :  ¥0.9445
750+ :  ¥0.7861
1,500+ :  ¥0.7148
3,000+ :  ¥0.6633
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB19XP,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB19XP_SOT1220 P-Channel 1.7W 150℃ 12V,-0.68V -20V -10.3A

暂无价格 0 当前型号
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V

¥1.2276 

阶梯数 价格
50: ¥1.2276
100: ¥0.9445
750: ¥0.7861
1,500: ¥0.7148
3,000: ¥0.6633
15,065 对比
RF4C050APTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN

¥5.0691 

阶梯数 价格
30: ¥5.0691
50: ¥3.3731
100: ¥2.7981
300: ¥2.4244
500: ¥2.3477
1,000: ¥2.2902
3,000 对比
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥3.0281
100: ¥2.4627
300: ¥2.089
500: ¥2.0124
1,000: ¥1.9549
2,548 对比
RF4C050APTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN

¥5.0691 

阶梯数 价格
30: ¥5.0691
50: ¥3.3731
100: ¥2.7981
300: ¥2.4244
500: ¥2.3477
1,000: ¥2.2902
2,545 对比
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V

暂无价格 240 对比

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