制造商编号 | PMPB10XNE,115 |
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商品别名 | PMPB10XNE |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PMPB10XNE,115 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
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图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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数据手册 |
PMPB10XNE_DFN-MD N-Channel 1.7W 150℃ 0.65V,12V 20V 12.9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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数据手册 |
DFN 2x2B N-Channel 20V 12V 8A 2.8W 14.5mΩ@4.5V |
¥0.9383
|
787 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
PMPB10XNE_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 12V,0.65V 20V 12.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
PMPB10XNEA_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 0.65V 20V 9A 车规 |
¥1.885
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0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
PMPB10XNEA_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 0.65V 20V 9A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
DFN 2x2B N-Channel 20V 12V 8A 2.8W 14.5mΩ@4.5V |
¥1.2245
|
0 | 对比 |
PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | DFN-MD | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 18mΩ@2.5V,14mΩ@4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 0.65V,12V | |
漏源极电压Vds | 20V | |
输入电容 | 2175pF | |
输出电容 | 235pF | |
连续漏极电流Id | 12.9A |
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PMPB10XNE,115
自营库存:270
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 315,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
GP3134K | 24,000 |
LP3418DT2AG | 24,000 |
PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |