制造商编号 | PMCM6501UNEZ |
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商品别名 | PMCM6501UNE |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PMCM6501UNEZ |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | NAX000 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 25mΩ@2.5V,21mΩ@4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.556W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 0.6V,8V | |
漏源极电压Vds | 20V | |
输入电容 | 105pF | |
输出电容 | 19pF | |
连续漏极电流Id | 8.7A |
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PMCM6501UNEZ
自营库存:0
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2N7002LT1G | 30,000 |
PMZB200UNEYL | 15,500 |
S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
2N7002HR | 12,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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PMCM6501UNEZ | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMCM6501UNE_NAX000 N-Channel 0.556W 150℃ 0.6V,8V 20V 8.7A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SSM6K781G,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.6W(Ta) 6-WCSPC(1.5x1.0) 150°C(TJ) 12 V 7A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOC2412 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel ±8V 23 mΩ @ 1.5A,4.5V 4-AlphaDFN(1.57x1.57) 550mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |