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通用MOSFET   D2PAK

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制造商编号 STB120NF10T4
制 造 商 ST(意法半导体)
唯样编号 A36-STB120NF10T4
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
系列 STripFET™ II
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 D2PAK
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 110A
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