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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
系列 | STripFET™ II | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 233nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5200pF @ 25V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 312W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5m Ohms@60A,10V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
封装/外壳 | D2PAK | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 100V | |
连续漏极电流Id | 110A |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
IPB027N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 |
¥31.5261
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2,000 | 对比 | |||||||||||||||
IRFS4310ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
¥6.138
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97 | 对比 | |||||||||||||||
IRFS4310TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
¥18.399
|
34 | 对比 | |||||||||||||||
BUK7610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7610-100B_SOT404 |
¥29.6007
|
0 | 对比 | |||||||||||||||
IPB054N08N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |