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STB120NF10T4  与  IPB80N03S4L-03  区别

型号 STB120NF10T4 IPB80N03S4L-03
唯样编号 A36-STB120NF10T4 A-IPB80N03S4L-03
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V 2mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 100V 30V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) 136W
Qg-栅极电荷 - 140nC
栅极电压Vgs ±20V 16V
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 80A
系列 STripFET™ II OptiMOS-T2
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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