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STB120NF10T4  与  IPB083N10N3GATMA1  区别

型号 STB120NF10T4 IPB083N10N3GATMA1
唯样编号 A36-STB120NF10T4 A-IPB083N10N3GATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 75uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.3 毫欧 @ 73A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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400: ¥23.1256
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170: ¥26.0118
400: ¥19.5578
800: ¥16.0309
0 对比

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