| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | 8-HSOP | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 22.2W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ@13A,10V | |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 13A |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
|
￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
|
|
|
单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
|
最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 3周-4周 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS1E130GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-HSOP |
￥1.859
|
955 | 当前型号 | ||||||||
|
IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
AON6410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-DFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
BSC120N03MSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03MS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
BSC120N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
BSC120N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03LSGATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
