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RS1E130GNTB  与  IRFH8337TRPBF  区别

型号 RS1E130GNTB IRFH8337TRPBF
唯样编号 A33-RS1E130GNTB A-IRFH8337TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@13A,10V 12.8mΩ@16.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 22.2W 3.2W(Ta),27W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-HSOP PQFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 12A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 955 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.204
100+ :  ¥1.8207
500+ :  ¥1.744
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP N-Channel 22.2W 11.7mΩ@13A,10V 150°C(TJ) ±20V 30V 13A

¥2.204 

阶梯数 价格
70: ¥2.204
100: ¥1.8207
500: ¥1.744
955 当前型号
IRFH8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6410 AOS  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta),24A(Tc) N-Channel ±12V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2W(Ta),35W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSC120N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC120N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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