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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | 8-HSOP | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 22.2W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ@13A,10V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 13A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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RS1E130GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-HSOP N-Channel 22.2W 11.7mΩ@13A,10V 150°C(TJ) ±20V 30V 13A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AON6410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta),24A(Tc) N-Channel ±12V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2W(Ta),35W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC120N03MSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC120N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC120N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC120N03LSGATMA1_30V 39A 10mΩ 20V 28W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |