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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 连续漏极电流Id | ±135A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3m Ohms | |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：3 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 |
￥66.8948
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50 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRF7493 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7854 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC-8 |
￥9.02
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7,993 | 对比 | ||||||||||||
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SIR826LDP-T1-RE3 | Vishay | 功率MOSFET |
PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 30 | 对比 | |||||||||||||
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SIR680DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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