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通用MOSFET   PowerPAK®SO-8

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制造商编号 SIR680DP-T1-RE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-SIR680DP-T1-RE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:100A(Tc) FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:2.9 mOhms @ 20A,10V Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 100A(Tc)
FET类型 N-Channel
Vgs(最大值) ±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.9 mOhms @ 20A,10V
Vgs(th) 3.4V @ 250uA
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc)
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
工作温度 -55℃~150℃
漏源极电压Vds 80V
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库存 :  30 生产周期:12W

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