首页 > 商品目录 > > > > RS6N120BHTB1代替型号比较

RS6N120BHTB1  与  SIR826LDP-T1-RE3  区别

型号 RS6N120BHTB1 SIR826LDP-T1-RE3
唯样编号 A33-RS6N120BHTB1 A-SIR826LDP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id ±135A 21.3A(Ta),86A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 104W 5W(Ta),83W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 50 30
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
3+ :  ¥66.8948
10+ :  ¥15.2456
50+ :  ¥10.5215
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

¥66.8948 

阶梯数 价格
3: ¥66.8948
10: ¥15.2456
50: ¥10.5215
50 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7854 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥9.02 

阶梯数 价格
6: ¥9.02
100: ¥7.854
750: ¥7.139
1,500: ¥6.864
3,000: ¥6.6
7,993 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比
SIR680DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售