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RS6R060BHTB1  与  FDS86242  区别

型号 RS6R060BHTB1 FDS86242
唯样编号 A3-RS6R060BHTB1 A3-FDS86242
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 150 V 2.5 W 13 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.8mΩ@60A,10V 67m Ohms@4.1A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta),5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
连续漏极电流Id 60A 4.1A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 100 67,479
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 100 当前型号
IRF7451 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 3.6A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 90mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7465 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 1.9A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 280mΩ@1.14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7815 Infineon  数据手册 功率MOSFET

43mΩ 150V SO-8 N-Channel 20V 4.1A

暂无价格 0 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

暂无价格 67,479 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

¥3.663 

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