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SiC MOSFET   

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制造商编号 SCT3022ALGC11
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SCT3022ALGC11
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
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参数 参数值 操作
商品目录 SiC MOSFET
系列 SCT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 650V
连续漏极电流Id 93A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 18.2mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 133nC @ 18V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2208pF @ 500V
栅极电压Vgs +22V,-4V
Pd-功率耗散(Max) 339W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@36A,18V
工作温度 175°C(TJ)
封装/外壳 TO-247-3
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商品简介

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整包(请按450的倍数下单)

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