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SCT3022ALGC11  与  IPW60R031CFD7  区别

型号 SCT3022ALGC11 IPW60R031CFD7
唯样编号 A-SCT3022ALGC11 A-IPW60R031CFD7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@36A,18V 31mΩ
Ciss - 5623.0pF
Coss - 111.0 pF
栅极电压Vgs +22V,-4V 3.5V,4.5V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - fast recovery diode
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 93A(Tc) 63A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 141.0 nC
Ptot max - 278.0W
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
Budgetary Price €€/1k - 6.52
漏源极电压Vds 650V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 339W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 50.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - THT
RthJC max - 0.45 K/W
系列 SCT -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 18.2mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2208pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 133nC @ 18V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
450+ :  ¥169.1474
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3022ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥169.1474 

阶梯数 价格
450: ¥169.1474
0 当前型号
IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPW60R031CFD7XKSA1_31mΩ 600V 63A TO-247 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

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