首页 > 商品目录 > > > SCT3022ALGC11代替型号比较

SCT3022ALGC11  与  IPW60R031CFD7XKSA1  区别

型号 SCT3022ALGC11 IPW60R031CFD7XKSA1
唯样编号 A-SCT3022ALGC11 A-IPW60R031CFD7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 278W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@36A,18V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 339W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5623pF @ 400V
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 93A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 1.63mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 141nC @ 10V
系列 SCT -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 18.2mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2208pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 133nC @ 18V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 31 毫欧 @ 32.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 63A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
450+ :  ¥169.1474
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3022ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥169.1474 

阶梯数 价格
450: ¥169.1474
0 当前型号
IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R031CFD7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R031CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R031CFD7XKSA1_31mΩ 600V 63A TO-247 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消