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IPD050N03LGATMA1  与  AOD516_050  区别

型号 IPD050N03LGATMA1 AOD516_050
唯样编号 A3a-IPD050N03LGATMA1 A-AOD516_050
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),50W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252,(D-Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A(Ta),46A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 33nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 816 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.455
25+ :  ¥3.883
100+ :  ¥3.674
250+ :  ¥3.641
500+ :  ¥3.256
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