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IPD050N03LGATMA1  与  BUK9207-30B,118  区别

型号 IPD050N03LGATMA1 BUK9207-30B,118
唯样编号 A3a-IPD050N03LGATMA1 A-BUK9207-30B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 167W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
输出电容 - 635pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SOT428
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 185℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 2573pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V,7.7mΩ@4.5V,7mΩ@5V
库存与单价
库存 816 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.455
25+ :  ¥3.883
100+ :  ¥3.674
250+ :  ¥3.641
500+ :  ¥3.256
400+ :  ¥15.3792
1,000+ :  ¥10.6064
1,250+ :  ¥8.9885
2,500+ :  ¥7.3676
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