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IPD050N03LGATMA1  与  IPD050N03LGBTMA1  区别

型号 IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGBTMA1
唯样编号 A3a-IPD050N03LGATMA1 A-IPD050N03LGBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) 68W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V 3200pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V 31nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V 5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 816 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.455
25+ :  ¥3.883
100+ :  ¥3.674
250+ :  ¥3.641
500+ :  ¥3.256
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