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PJD60N04-AU_L2_000A1  与  IPD50N04S4L08ATMA1  区别

型号 PJD60N04-AU_L2_000A1 IPD50N04S4L08ATMA1
唯样编号 A-PJD60N04-AU_L2_000A1 A-IPD50N04S4L08ATMA1
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 46W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 75W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2340pF @ 25V
栅极电压Vgs 2.5V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 60A -
工作温度 -55°C~175°C -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 17uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
通道数 Single -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.5mΩ@20A,10V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
550+ :  ¥2.9678
1,000+ :  ¥2.1983
1,500+ :  ¥1.863
3,000+ :  ¥1.62
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD60N04-AU_L2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 20V 2.5V TO-252AA 60A 75W -55°C~175°C 车规

¥2.9678 

阶梯数 价格
550: ¥2.9678
1,000: ¥2.1983
1,500: ¥1.863
3,000: ¥1.62
0 当前型号
IPD50N04S308ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S3-08_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD50N04S3-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S308ATMA1_40V 50A 8mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C

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IPD50N04S4L-08_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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