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功率MOSFET   6.5mm

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制造商编号 IPD50N04S4L-08
商品别名 IPD50N04S4L08ATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IPD50N04S4L-08
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2mΩ 栅极电压Vgs:-16V,20V Pd-功率耗散(Max):46W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 50A
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.2mΩ
栅极电压Vgs -16V,20V
Qg-栅极电荷 30nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 46W
高度 2.3mm
长度 6.5mm
系列 OptiMOS-T2
FET类型 N-Channel
宽度 6.22mm
下降时间 18ns
上升时间 8ns
典型关闭延迟时间 11ns
典型接通延迟时间 4ns
工作温度 -55°C~175°C
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