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功率MOSFET   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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制造商编号 IPD50N04S308ATMA1
商品别名 IPD50N04S3-08
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IPD50N04S308ATMA1
供货
无铅情况/RoHs
描述
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
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商品目录 功率MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc)
FET类型 N 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 40uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
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