制造商编号 | IPD50N04S308ATMA1 |
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商品别名 | IPD50N04S3-08 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPD50N04S308ATMA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
|
参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 50A(Tc) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 7.5 毫欧 @ 50A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 40uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2350pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 35nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 68W(Tc) | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
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交期: 请咨询客服 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IPD50N04S308ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD50N04S3-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
AOD4184A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.782
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10,724 | 对比 | |||||||||||
AOD4184A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |