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BUK98150-55A/CUF  与  IRLL014NTRPBF  区别

型号 BUK98150-55A/CUF IRLL014NTRPBF
唯样编号 A-BUK98150-55A/CUF A-IRLL014NTRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 8W 1W(Ta)
输出电容 53pF -
栅极电压Vgs ±15V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.5A 2.8A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 240pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 137mΩ@5A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 8,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1,010+ :  ¥1.4191
2,000+ :  ¥1.1632
4,000+ :  ¥1.0672
暂无价格
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阶梯数 价格
1,010: ¥1.4191
2,000: ¥1.1632
4,000: ¥1.0672
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