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功率MOSFET   SOT-223

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 IRLL014NPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRLL014NPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single HexFet 55 V 2.1 W 14 nC Surface Mount Mosfet - SOT-223
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V
栅极电压Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@2A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 55V
连续漏极电流Id 2.8A
封装/外壳 SOT-223
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