制造商编号 | 94-3316 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-94-3316 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 2A(Ta) | |
FET类型 | N 通道 | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 140 毫欧 @ 2A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 230pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 55V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:80
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创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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94-3316 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
¥2.398
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3,499 | 对比 | |||||||||||
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |