首页 > 商品目录 > > > ZXMN6A08KTC代替型号比较

ZXMN6A08KTC  与  RSD050N06TL  区别

型号 ZXMN6A08KTC RSD050N06TL
唯样编号 A36-ZXMN6A08KTC-0 A33-RSD050N06TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.12W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@4.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 459 pF @ 40 V 290pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 5.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.36A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 109 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
库存与单价
库存 4,700 197
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.1879
100+ :  ¥1.6929
1,250+ :  ¥1.4652
2,500+ :  ¥1.386
40+ :  ¥4.063
50+ :  ¥3.5934
100+ :  ¥3.2006
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥2.1879 

阶梯数 价格
30: ¥2.1879
100: ¥1.6929
1,250: ¥1.4652
2,500: ¥1.386
4,700 当前型号
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 30,000 对比
STD12NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
500: ¥3.2006
500 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
197 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥3.715 

阶梯数 价格
1: ¥3.715
25: ¥3.4397
100: ¥3.185
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售