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ZXMN3A01FTA  与  IRLML2030TRPBF  区别

型号 ZXMN3A01FTA IRLML2030TRPBF
唯样编号 A36-ZXMN3A01FTA A33-IRLML2030TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V 100mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A 2.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.3V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V 110pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V 1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,885 7
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.408
200+ :  ¥1.0846
1,500+ :  ¥0.9438
3,000+ :  ¥0.8206
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
200: ¥1.0846
1,500: ¥0.9438
3,000: ¥0.8206
5,885 当前型号
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
30,833 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.2553 

阶梯数 价格
120: ¥1.2553
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.2362
2,000: ¥1.2362
4,000: ¥1.2266
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¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
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FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.3535 

阶梯数 价格
1: ¥0.3535
25: ¥0.3048
100: ¥0.2626
261 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 7 对比

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