| 制造商编号 | IRLML2030TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A33-IRLML2030TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@2.7A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 2.7A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML2030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 7 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 42,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.6424
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4,210 | 对比 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.9mm TSMT |
暂无价格 | 4 | 对比 | ||||||||||
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BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSH108_SOT23 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||
|
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.9mm TSMT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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