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功率MOSFET   Micro3™/SOT-23

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制造商编号 IRLML2030TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A33-IRLML2030TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.7A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 2.7A
封装/外壳 Micro3™/SOT-23
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