| 制造商编号 | IRLML2030TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A33-IRLML2030TRPBF-0 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
|
| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@2.7A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 2.7A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
|
￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
|
|
|
单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
|
最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 3周-4周 |
| 起订量：120 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
￥1.2553
|
11,500 | 当前型号 | ||||||||||||
|
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 42,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.6424
|
4,210 | 对比 | ||||||||||||
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.9mm TSMT |
暂无价格 | 4 | 对比 | ||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSH108_SOT23 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.9mm TSMT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
