首页 > 商品目录 > > > > STP100N8F6代替型号比较

STP100N8F6  与  FDP3632  区别

型号 STP100N8F6 FDP3632
唯样编号 A36-STP100N8F6 A32-FDP3632
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 310W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ 9 毫欧 @ 80A,10V
上升时间 46ns -
Qg-栅极电荷 100nC -
栅极电压Vgs 2V ±20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 12A(Ta),80A(Tc)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
下降时间 21ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5955pF @ 25V 6000pF @ 25V
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 176W 310W(Tc)
典型关闭延迟时间 103ns -
FET类型 - N-Channel
系列 STP100N8F6 PowerTrench®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
典型接通延迟时间 33ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 173,300 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
100: ¥3.234
1,000: ¥2.992
2,314 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80PS_SOT78

¥8.6038 

阶梯数 价格
20: ¥8.6038
50: ¥7.0523
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售