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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | STripFET™ F6 | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9130pF @ 40V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.5mΩ@55A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 连续漏极电流Id | 110A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
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